曼徹斯特大學和諾丁漢大學研究人員研發出的新型硒化銦（InSe）半導體只有幾個原子厚，類似于石墨烯。研究成果發表在“自然納米技術”《Nature Nanotechnology 》上。

       石墨烯只是一個原子厚度，具有無可比擬的電子性能，但沒有能隙，導致無法向半導體那樣在晶體管上應用。新的研究表明，硒化銦(InSe)晶體可以只有幾個原子厚，幾乎和石墨烯一樣薄。 而且與硅類似，硒化銦(InSe)具有大的能隙，可以方便控制晶體管的開關。同時，硒化銦(InSe)被證明具有超快的電子速度。

Andre Geim是這項研究的作者之一，也是諾貝爾物理學獎獲得者，認為新的發現可能對未來電子學的發展產生重大影響。

如果能將硒化銦(InSe)成功沿用到電腦主板、處理器、或應用至導電薄膜，透明柔性電極等電子元器件上，勢必將引領下一場電子工業革命，不愧為二維材料領域的又一“重磅炸彈”。

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       同時，經國家標準化管理委員會和中國科學院同意,全國納米技術標準化技術委員會批準在泰州石墨烯研究檢測平臺（巨納旗下）成立低維納米結構與性能工作組，編號為SAC/TC279/WG9。低維納米結構與性能工作組主要負責和協調全國低維納米結構與性能標準化工作，泰州石墨烯研究檢測平臺有限公司為工作組承擔單位。